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【6h】

取代型Dawson结构杂多酸及其复合材料的制备与质子导电性能研究

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摘要

第一章 文献综述

1.1 杂多酸简介

1.2 杂多酸的质子导电性能研究进展

1.3 含有杂多酸的复合材料的导电性能研究进展

1.4 杂多酸及其复合材料的质子导电机理

1.5 本论文的研究内容

参考文献

第二章 取代型Dawson结构杂多酸H7[Ga(H2O)P2W17O61]·18H2O和H7[In(H2O)P2W17O61]·23H2O的合成、表征及质子导电性能研究

2.1 引言

2.2 实验部分

2.3 目标产物的表征及质子导电性能研究

2.4 本章小结

参考文献

第三章 取代型Dawson结构钨磷铟杂多酸复合材料的制备、表征及质子导电性能研究

3.1 引言

3.2 实验部分

3.3 目标产物的表征及质子导电性能研究

3.4 本章小结

参考文献

结论

致谢

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摘要

本文采用降解-离子交换-冷冻法,合成了取代型Dawson结构杂多酸H7[Ga(H2O)P2W17O61]·18H2O(简写为P2W17Ga)和H7[In(H2O)P2W17O61]·23H2O(简写为P2W17In),并通过元素分析、红外光谱、紫外光谱、X-射线粉末衍射和热重-差热分析等手段对其进行了表征。在此基础上,测定了它们在室温(18℃)、相对湿度(RH)70%条件下的质子电导率,并通过测定其不同温度下的质子电导率,研究了它们的质子导电机理。此外,选用质子电导率较高的取代型Dawson结构钨磷铟杂多酸H7[In(H2O)P2W17O61]·23H2O、聚乙烯吡咯烷酮(简写为PVP)及硅酸四乙酯(简写为TEOS)为原料,制备了含有取代型Dawson结构钨磷铟杂多酸的有机(高分子)基质复合材料PVP/P2W17In及多元基质复合材料PVP/SiO2/P2W17In,并通过红外光谱对其进行了表征。在此基础上,测定了它们在室温(18℃)、相对湿度(RH)70%条件下的质子电导率,并通过测定其不同温度下的质子电导率,研究了它们的质子导电机理。

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