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目录
第一章 绪 论
§1.1 课题研究的背景
§1.2 国内外相关研究工作与发展趋势
§1.3 课题的研究成果
§1.4 本文的研究内容及章节安排
第二章 电压基准源的基本原理
§2.1 带隙基准电压源的性能指标
§2.2 带隙基准电压源的原理
§2.3 传统CMOS带隙基准电压源
§2.4 三种常用的带隙电路结构
§2.5 本章小结
第三章 超低功耗的高电源抑制比基准电压源设计
§3.1亚阈值MOSFETs模型
§3.2 全CMOS超低功耗的高电源抑制比基准电压源
§3.3 基准源的前仿真
§3.4 版图设计
§3.5 基准源后仿真
§3.6 芯片测试
§3.7 芯片测试结果
§3.8本章小结
第四章 消除体效应的纳瓦量级全CMOS基准电压源设计
§ 4.1 无3.3-V MOS管的温度补偿电路
§ 4.2 无衬底调节效应的电流源
§ 4.3 基准电压源总体电路及低功耗设计
§ 4.4 改进型启动电路
§ 4.5 基准源的前仿真
§ 4.6 基准源的版图设计及后仿真
§ 4.7 性能比较
§ 4.8 本章小结
第五章 总结与展望
§5.1 工作总结
§5.2 展望
参考文献
致谢
作者在攻读硕士学位期间的主要研究成果
桂林电子科技大学;