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无校准低功耗12位100MS/s ADC的设计与实现

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第一章 绪 论

1.1 研究工作的背景和意义

1.2 国内外研究状况

1.3 本论文的主要工作

1.4 本论文的结构安排

第二章 无校准流水线ADC高线性度设计

2.1 模数转换器概述

2.2无校准流水线ADC的设计难点

2.3流水线ADC第一级分辨率的选择

2.4 MOS开关线性化设计

2.5 降低电容失配的设计

2.6 本章小结

第三章 无校准流水线ADC低功耗设计

3.1流水线ADC低功耗技术

3.2 本文ADC采用的SHA-less结构与运放共享相结合的设计

3.3 本章小结

第四章 无校准ADC主要单元电路设计

4.1 运放的设计

4.2 基准电路设计

4.3 比较器设计

4.4 本章小结

第五章 无校准低功耗12位100MS/s流水线ADC的实现

5.1 无校准低功耗12位ADC总体结构实现

5.2 适合于本文ADC结构的余量增益级(MDAC)的设计实现

5.3本文ADC中低抖动时钟驱动电路的实现

5.4 版图设计实现

5.5 工艺实现

5.6本章小结

第六章 无校准低功耗12位100MS/s ADC的测试和实验结果

6.1 高速高精度ADC的测试方法

6.2 本文ADC样片的测试

6.3 本章小结

第七章 结论

7.1 本文的工作总结与创新点

7.2 下一步工作的展望

致谢

参考文献

攻读博士期间的研究成果

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摘要

随着当今通信技术和片上系统(SoC)技术的发展,对ADC的要求也越来越高。一方面,这些应用不仅要求ADC具有较高的速度和精度,同时还得具有良好的静态和动态性能。另一方面,为了降低成本,SoC应用对ADC小面积和低功耗的要求也越来越高。另外,SoC应用也要求其系统中各个模块易于集成,便于 IP化,这就要求其中的ADC需要采用与数字电路兼容的标准工艺实现,同时具有较少的端口,通用性好。在各种ADC算法中,由于流水线ADC能实现精度、速度、功耗的良好折中,而CMOS工艺能提供性能优越的开关器件,故开关电容电路被很好的应用在了流水线ADC中。通常分辨率10位以上的流水线ADC都需要借助校准保证精度。校准可以降低ADC中开关、运放、传统流水线结构等引入的非线性,但会占用一定的芯片面积和产生一定的功耗。为了减小面积和节约成本,并且使ADC的功能具有通用性,包含校准电路的ADC不适合于SoC应用。所以,研究无校准的低功耗流水线ADC的设计对于SoC的应用是很有必要的。
  论文的研究内容主要包括ADC的高线性度和低功耗设计两个方面,其次是针对本文ADC的重要单元模块的设计实现:
  1.在提高线性度方面,论述了ADC采用第一级多位结构在提高线性度上的优势,同时研究了采样开关线性化技术。在开关自举电路中,通过加入电荷分享补偿便能补偿该部分电荷损失,在不影响频率响应的情况下,有效的提高了开关的线性度。仿真结果说明,和没有采用电荷分享补偿相比,采用了电荷分享补偿后, ADC总谐波失真降低了10dB。另外,对传统的中心对称电容版图技术进行了改进,使得电容阵列寄生参数匹配度提高,从而提高了电容的比例精度。通过最终三个版本ADC的流片和实测结果说明了改进的中心对称电容版图技术的有效性。
  2.研究流水线ADC低功耗技术。对各种流水线ADC的低功耗技术进行了较全面的分析。主要分析了无前端采样保持电路(SHA-less)的流水线ADC结构及运放共享结构的优缺点,并对这两种结构进行了误差分析。本文的ADC采用了SHA-less与运放共享相结合的结构,大幅度的降低了功耗,并给出了消除该结构下记忆效应的解决办法。具体措施是:在ADC采样和保持两个相位之间插入一个清零脉冲,受控于该脉冲的开关不仅使前后两级MDAC共享的运放输入端得到清零,也消除了MDAC的记忆效应对下一个采样信号的影响。
  3.在主要单元模块设计方面,首先,研究了宽带高增益跨导放大器设计。说明了跨导放大器采用单级结构在实现低功耗方面的优势。其次,对基准驱动电路的噪声、输出阻抗及与之相连的寄生器件等进行了深入分析,确定了各个主要设计参数之间的关系。再次,全面分析和研究了降低高速锁存比较器的回踢噪声的设计,并结合SHA-less结构的ADC,采用改进的比较器控制时钟,有效的降低了比较器的回踢噪声,使比较器的输入失调由42mV降低至100μV。
  4.为了证明上述技术的有效性,对三个版本的单片开关电容型流水线12位100MS/s ADC基于0.18μm1P6M CMOS工艺,进行了流片验证。其中,版本1采用了传统10×1.5位/级+2位的流水线结构和传统的中心对称电容版图;版本2采用了本文提出的4位+7×1.5位+2位的流水线结构和传统的中心对称电容版图;版本3采用了本文提出的4位+7×1.5位+2位流水线结构和改进的中心对称电容版图。在相同条件下的测试结果表明,版本2的DNL、INL、SFDR等反映线性度的指标高于版本1,且功耗低于版本1,说明首级高位的结构优于首级低位的结构;版本3和版本2都采用了本文提出的流水线结构,故功耗相当;版本3采用了改进的中心对称版图结构,比版本2具有更高的线性度。版本3的SFDR高于已报道的无校准的ADC,虽然FoM指标逊于一些采用较新低功耗技术和先进工艺的ADC,但是优于已报道的无校准的12位高速ADC。以上结果说明本文ADC采用的首级高位的流水线结构、电荷分享补偿、改进的中心对称电容版图、运放共享与SHA-less相结合等措施能够在无校准、修调以及合理的功耗下,实现与国际上已报道的采用后台数字校准的12位120MS/s ADC相当的性能。
  从SoC应用的角度看,由于本文ADC采用了无校准的方式,外部端口较少且通用性较好,基于此 ADC进行定制 IP的设计周期可以缩短;同时,在没有校准和修调的情况下,ADC的工作时序不会被打断,且能保持较小的面积,能兼容更广的应用,所以,本文ADC相对采用了数字校准的ADC,能更好的满足SoC的应用,为高速高精度ADC IP的研究奠定了技术基础。

著录项

  • 作者

    蔡化;

  • 作者单位

    电子科技大学;

  • 授予单位 电子科技大学;
  • 学科 微电子学与固体电子学
  • 授予学位 博士
  • 导师姓名 李平;
  • 年度 2015
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 中文
  • 中图分类 TN792;
  • 关键词

    片上系统; 低功耗设计; 流水线结构; 模数变换器;

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