首页> 中文学位 >复合结构磁芯非对称巨磁阻抗效应的研究
【6h】

复合结构磁芯非对称巨磁阻抗效应的研究

代理获取

目录

摘要

1 绪论

1.1 引言

1.2 Fe基软磁合金

1.2.1 Fe基软磁合金的发展历程

1.2.2 Fe基软磁合金的特点

1.2.3 Fe基软磁合金的晶化机制

1.2.4 Fe基软磁合金的磁畴结构

1.3 巨磁阻抗效应

1.3.1 巨磁阻抗效应的定义及其发展概况

1.3.2 巨磁阻抗效应产生的机制

1.3.3 巨磁阻抗的测量方法及阻抗比的定义

1.3.4 基于GMI的磁敏传感器的应用

1.4 本文的选题意义与创新点

2 样品的制备和实验方法

2.1 Fe基合金薄带样品的制备

2.1.1 非晶薄带的甩制

2.1.2 自由退火薄带样品的制备

2.1.3 应力退火薄带样品的制备

2.2 Fe基合金薄膜样品的制备

2.2.1 Fe基合金靶材的制备

2.2.2 磁控溅射沉积薄膜

2.2.3 自由退火薄膜样品的制备

2.3 测试方法及原理

2.3.1 X射线衍射分析

2.3.2 热分析

2.3.3 GMI效应的测量

2.3.4 台阶仪

3 FeCuNbSiB薄带的宽线性巨磁阻抗效应

3.1 非晶态样品的GMI效应

3.2 自由退火的GMI效应

3.3 张应力退火样品的GMI效应

3.3.1 相同张应力不同退火温度的GMI效应

3.3.2 相同退火温度不同张应力的GMI效应

3.4 本章小结

4 FeSiBPC薄带与薄膜的巨磁阻抗效应

4.1 FeSiBPC薄膜的纵向驱动GMI效应

4.1.1 样品制备及纵向驱动巨磁阻抗效应的测量

4.1.2 3.0μm厚FeSiBPC薄膜的GMI效应

4.1.3 1.5μm厚FeSiBPC薄膜的GMI效应

4.2 FeSiBPC薄带的GMI效应

4.2.1 339MPa应力不同退火温度对样品GMI效应的影响

4.2.2 500℃以上高温退火对样品GMI效应的影响

4.3 本章小结

5 复合结构磁芯的非对称巨磁阻抗效应

5.1 非对称巨磁阻抗效应的研究现状

5.2 FeCuNbSiB和FeSiBPC薄带组成磁芯的AGMI效应

5.2.1 磁芯中间软磁薄带全部粘牢对AGMI效应的影响

5.2.2 磁芯中间软磁薄带只粘一头对AGMI效应的影响

5.3 FeCuNbSiB和FeCuNbSiB薄带组成磁芯的AGMI效应

5.4 FeCuNbSiB和FeSiBPC薄膜组成磁芯的AGMI效应

5.4.1 采用开天窗方法镀FeCuNbSiB与FeSiBPC薄膜

5.5 本章小结

6 总结与展望

参考文献

攻读学位期间获得的研究成果

致谢

声明

浙江师范大学学位论文诚信承诺书

展开▼

摘要

本文主要讨论了由Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9和Fe76Si7.6B9.5P5C1.9两种组分组成的复合结构磁芯的非对称巨磁阻抗(AGMI)效应,包括以下两种磁芯,一种磁芯是中间为具有宽线性巨磁阻抗(GMI)效应的FeCuNbSiB薄带,两端为均含有硬磁相的FeSiBPC薄带或是FeCuNbSiB薄带组成的复合结构薄带磁芯。另一种是中间为软磁性能较好的FeCuNbSiB薄膜,两端为均含有硬磁相的FeSiBPC的薄膜组成的复合结构薄膜磁芯。为了能够获得AGMI效应,本文分别对组成复合结构磁芯的薄带与薄膜进行了单独的研究,结果如下:
  一、FeCuNbSiB薄带的宽线性GMI效应
  1.FeCuNbSiB薄带在457MPa张应力460℃应力退火1h后,样品的巨磁阻抗曲线具有宽线性,而且相比于其它退火温度与张应力的巨磁阻抗曲线,在近零场附近也是最为灵敏的,其最大阻抗比为590.7%,外磁场的线性区间为930.2A/m,线性系数R为0.9945。
  2.对于在460℃不同应力退火的FeCuNbSiB薄带,其巨磁阻抗曲线半高宽随张应力的增加而增加,并呈现出近似线性的单调递增趋势。
  二、FeSiBPC薄膜的纵向驱动GMI效应
  1.通过用射频磁控溅射法制得了3.0μm厚FeSiBPC薄膜,采用纵向驱动模式,薄膜样品退火温度高于200℃后,均能显现出明显的GMI效应,最佳退火温度为250℃。
  2.对于3.0μm厚的薄膜样品,随着薄膜样品退火温度的增加,其GMI曲线的半高宽逐渐减小,灵敏度曲线则是先增加后减小,在样品退火温度为300℃时,达到最大为2.06%/(A·m-1)。
  3.用射频磁控溅射法又制得了1.5μm厚FeSiBPC薄膜样品,同样采取纵向驱动模式,发现对于FeSiBPC薄膜样品,当薄膜厚度为1.5μm,退火温度高于510℃时,薄膜样品中含有硬磁相。
  三、复合结构磁芯的纵向驱动AGMI效应
  1.将含有硬磁相的FeSiBPC、FeCuNbSiB薄带分别与具有宽线性巨磁阻抗效应的FeCuNbSiB薄带组成了复合结构磁芯,在纵向驱动模式下,磁化后的磁芯表现出了非对称巨磁阻抗效应的现象,最大阻抗比分别为284.95%、116.3%,峰值对零磁场的偏移大小分别为93.02 A/m、186A/m。
  2.采用开天窗的方式在Si片上镀FeCuNbSiB与FeSiBPC薄膜,然后组成复合结构薄膜的磁芯,其中FeCuNbSiB薄膜的厚度为3.0μm,FeSiBPC薄膜的厚度为1.5μm,分别地经过300℃和519℃氮气保护的退火处理,可以获得非对称巨磁阻抗效应,最大阻抗比为92.96%,峰值偏移大小为11.62 A/m。
  3.对于复合结构的薄带和薄膜磁芯,在磁化后表现出来的非对称巨磁阻抗效应,均没有磁滞。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号