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孙法;
浙江理工大学;
铜; 银; 锗单晶; 半导体材料; 电学行为;
机译:多金属氧酸盐基混合化合物中的可逆脱水:用四齿N-给体配体的铜(II)配合物修饰的Keggin型锗钨酸盐的单晶到单晶转变的研究
机译:含有铜(II)铜(II)络合物的含镧的多氧化钨酸盐杂交物的热固性行为,其单晶胞芯片:单晶与单晶转化研究
机译:锗锗单晶中铜和g中心电子顺磁共振跃迁相互作用的影响
机译:吸附和加热时钨,钨,钨,钨,钨,镍,钨,镍,铜,镍,铜,镍,金,银,金,银,金,银,金,银,铜,金,银,铜,铜,钡,bar和氧共同吸附的多层膜功函数的变化
机译:疾病的不同作用:铀-铜-镍中的非费米液体行为和铀-铜-硅-锗中的居里温度升高。
机译:HfxTi1-xO2高介电常数栅绝缘子沉积在锗衬底上的电学性质和界面研究
机译:研究银,铝,硅,锗薄蒸镀膜的结构和行为
机译:以预测单晶硅中产生的氧沉积行为的单晶硅中的氧沉淀行为预测方式,以单晶硅中的氧沉淀行为预测方式预测氧沉积行为
机译:预测硅单晶中氧的析出行为的方法,确定硅单晶生产参数的方法以及用于存储预测硅单晶中氧的析出行为的程序的存储介质
机译:预测单晶硅中的氧的析出行为的方法,确定硅单晶的生产参数的方法以及用于存储预测单晶硅中的氧的析出行为的程序的存储介质
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