声明
摘要
致谢
表目录
第1章绪论
1．1目的和意义
1．2大功率IGBT老化信息提取研究现状
1．3本文研究内容
2．1引言
2．2 IGBT基本结构
2．3 IGBT老化衰退机理分析
2．4 IGBT不同老化衰退部位分析
2．4．1键合线老化
2．4．2焊接层老化
2．4．3 DBC层老化
2．4．4铝金属重构
2．4．5芯片层面的老化
第3章直流加速老化实验平台搭建
3．1引言
3．2直流加速老化平台概述
3．2．1主功率电路概述
3．2．2主要工作状态概述
3．2．3平台辅助功能概述
3．3直流加速老化平台硬件部分
3．3．1差分采样电路
3．3．2主功率驱动电路
3．3．3三通阀驱动电路
3．4直流加速老化平台软件部分
3．4．1上位机部分
3．4．2下位机部分
3．4．3上位机-下位机通讯指令规则
第4章基于开通过程的IGBT老化电敏感参数研究
4．1引言
4．2 IGBT等效电路模型
4．3 IGBT开通过程分析
4．4温度对开通过程中VEe的作用机理
4．5键合线老化衰退对开通过程中VEe的作用机理
4．6实验结果分析
4．6．1VEe与温度之间关系实验验证
4．6．2VEe与老化之间关系实验验证
第5章总结和展望
5．1论文工作总结
5．2今后工作展望
攻读硕士期间发表的论文
参考文献
