高频高介高可靠介质瓷研究

摘要

本论文研究了高频高介高可靠MLC瓷料的介电性能.通过在钡钛钕系统添加不同的玻璃对系统的介电性能影响有显著的区别,以Pb<,3>O<,4>、SiO<,2>和BaCO<,3>为原料制备的玻璃,掺杂到BaO·Nd<,2>O<,3>·5TiO<,2>系统中,虽不能很好的提高系统的介电系数,对温度系数的调节也很有限,但其损耗却非常小.当其添加量为0.5wt﹪,在1140℃烧结,其介电性能如下:ε<,r>=99.9,tanδ=1.12×10<'-4>,α<,c>=-88.96×10<'-6>/℃.以Pb<,3>O<,4>和Bi<,2>O<,3>为主要成分,同时加入少量的ZnO、H<,3>BO<,3>和Al<,2>O<,3>等作为改性剂和抑制剂制备的玻璃,掺杂到BaO·Nd<,2>O<,3>·5TiO<,2>系统中,可以在较低的烧结温度下有效的提高系统的介电常数,但系统的损耗较大,且温度系数为负值. 改变BaO-Nd<,2>O<,3>-TiO<,2.系统中TiO<,2>的含量,随着TiO<,2>含量的减少,温度系数正向移动,但是烧结温度也随之提高.当钡钛钕摩尔比为1:1:4.8时,可以在较低的烧结温度下得到较好得介电性能.在BaO·Nd<,2>O<,3>·4.8TiO<,2>系统中添加玻璃,不同玻璃含量对系统的主晶相没有显著影响,当玻璃添加量为8-9wt﹪时,可以得到理想的介电性能:介电常数ε≈100,电容量温度系数αc<0±15×10<'-6>/℃,损耗tan δ<5×10<'-4>. 论文对玻璃含量与系统的击穿特性的关系作了一定的研究,发现当玻璃含量为7-8wt﹪时,系统的击穿场强较高,超过20kv/mm,玻璃含量过高或过低都会降低击穿场强.而系统的击穿特性与绝缘电阻率之间没有直接关系.

目录

文摘

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第一章绪论

1.1表面贴装元器件

1.2电子功能陶瓷

1.2.1绝缘介质陶瓷

1.2.3半导体陶瓷

1.2.4离子导体和超导体陶瓷

第二章电容器陶瓷介质系统

2.1介电陶瓷的分类与特点

2.2独石电容器陶瓷

2.2.1低温烧结高频独石电容器材料

2.2.2中温烧结高频独石电容器材料

2.3 BaO-Nd2O3-TiO2系统

2.3.1 BaO-Nd2O3-TiO2系统晶相及结构

2.3.2 BaO-Nd2O3-TiO2系统改性剂

2.4课题的研究背景及内容

2.4.1课题的研究背景

2.4.2课题的研究内容

第三章实验

3.1试样制备

3.1.1原料与配方

3.1.2试样制备与加工

3.2性能测试

3.2.1介电常数ε、介电常数tanδ的测试

3.2.2绝缘电阻率ρv的测试

3.2.3电容量温度系数αc的测试

3.2.4击穿电场强度Eb的测试

3.2.5微观分析

第四章不同玻璃对BaO·Nd2O3·5TiO2系统的影响

4.1玻璃的形成、结构及介电性能

4.1.1玻璃的形成

4.1.2玻璃的结构模型

4.1.3玻璃的介电性能

4.2电容（器）介质用玻璃简介

4.3 1#玻璃对系统介电性能的影响

4.3.1不同玻璃含量对系统介电性能的影响

4.3.2不同烧结温度对系统介电性能的影响

4.4 2#玻璃对系统介电性能的影响

4.4.1不同玻璃含量对系统介电性能的影响

4.4.2不同烧结温度对系统介电性能的影响

4.4.3加入2#玻璃介质系统的微观结构

第五章 掺杂玻璃相的BNT系统介电性能研究

5.1 TiO2含量对BNT系统介电性能的影响

5.2不同含量玻璃对BaO·Nd2O3·4.8TiO2系统的影响

5.3不同烧结温度对BaO·Nd2O3·4.8TiO2系统的影响

5.4系统击穿电压的研究

5.4.1玻璃含量对系统击穿电压的影响

5.4.2击穿电压与绝缘电阻的关系

第六章结论

参考文献

发表论文和参加科研情况说明

致谢