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副边谐振变换器的EMI性能和控制策略研究

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摘要

反激变换器因其具有电路简单、成本低等优点而在中小功率场合快速普及。然而,反激变换器存在电压和电流应力高,电磁干扰严重等问题,已经严重影响了变换器向高频化和高效率化的发展。因此,需要对反激变换器的稳态特性和电磁干扰水平进行准确分析和优化。本文在反激变换器中引入副边谐振技术,对其电磁干扰噪声的抑制技术、副边控制策略进行深入研究。 针对反激变换器中由于开关管的快速开关动作引起的du/dt和di/dt大、EMI(Electro Magnetic Interference, E M I)严重的问题,设计一种应用副边谐振技术以抑制传导干扰的方案。采用该技术,谐振电容电压的设计和励磁电感的增大可使开关管电压、电流应力降低,谐振腔结构设计可以将整流二极管和谐振二极管的电压应力箝位在输出电压,谐振腔的合理参数设计可以使谐振二极管实现ZCS(Zero-Current-Switching, Z C S ) ,也降低了变换器的E M I水平。本文在考虑了副边谐振变换器中开关管和整流二极管的对地电容,变压器初次级间耦合电容的基础上,分析出其传导干扰的耦合路径,进一步分别做出反激变换器和副边谐振变换器的传导干扰等效模型,给出共模电压和差模电压的计算公式,分析出传导干扰的优化理论。分析结果表明,主功率器件电压和电流变化量减小,噪声源减小, E M I水平降低。最后,通过Saber仿真和6 0 W实验样机对理论进行验证。仿真实验中最高减小共模噪声12dBuV,差模噪声8dBuV,P C B实验中开关管处最高降低3.25V,整流二极管处最高降低6.8V,变压器处最高降低了 0.9A,E M I减小。 针对反激变换器的电压/电流应力大的问题,本文设计了一种有效降低谐振腔电流应力的副边可控单端谐振变换器。应用副边谐振技术后已经降低了器件的电压/电流应力,不过在输入电压发生波动时,电流仍会产生较大的纹波。基于该问题,提出将副边谐振二极管用开关管代替,构造出基于副边谐振技术的副边可控单端谐振变换器方案。当输入电压发生波动时,原边开关管的占空比固定而调节副边开关管以满足输出功率,从而降低了谐振电流纹波。论文分析了副边可控单端谐振变换器的工作原理,据此推导出理论电压传输比计算公式并用MATLAB软件绘制出电压传输比变化曲线。考虑到变换器中多个开关管的驱动问题,设计出一套可行驱动电路方案。最后,通过Saber仿真和PCB(Printed Circuit Board, PCB)实验平台验证变换器的低电流应力特性。仿真实验中谐振腔电流应力最高降低了3.4A,PCB实验谐振腔电流应力最高降低了 2A,验证了理论的正确性。

著录项

  • 作者

    陈强;

  • 作者单位

    电子科技大学;

  • 授予单位 电子科技大学;
  • 学科 控制工程
  • 授予学位 硕士
  • 导师姓名 陈勇;
  • 年度 2018
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 中文
  • 中图分类 基本电子电路 ;
  • 关键词

    谐振变换器; EMI; 性能; 控制;

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