环状导电高聚物中对称破缺现象和禁闭效应的物理根源

摘要

本文对环状导电高聚物中对称破缺现象和禁闭效应的物理根源进行了探讨。文章从体系的环状结构出发，考虑branch hopping 项对体系的影响，进而对SSH哈密顿量作相应的修改，用数值模拟的方法对对称破缺项(-1)<'n>t<,e> 的物理根源做出了解释。计算结果显示，考虑branch-hopping项(分支跃迁)后的哈密顿模型可以证明环状高聚物体系的主要特征。从物理的角度解释了环状导电聚合物中对称破缺现象和禁闭效应出现的原因。

目录

文摘

英文文摘

论文说明：图表目录

声明

第一章绪论

§1.1导电高聚物的发现

§1.2导电高聚物的结构

1.2.1聚乙炔的结构

1.2.2聚乙炔的异构体

§1.3派尔斯不稳定性

§1.4聚合物基态的简并性

§1.5聚合物的导电机理

1.5.1孤子和反孤子

1.5.2极化子

§1.6禁闭效应

§1.7研究动机

第二章理论基础

§2.1简并基态的高聚物

2.1.1简并基态高聚物的哈密顿量

2.1.2求解简并基态的哈密顿量

§2.2非简并基态的高聚物

2.2.1非简并基态高聚物的哈密顿量

2.2.2求解非简并基态的哈密顿量

2.2.3对称破缺项te

第三章环状导电高聚物

§3.1环状结构导电高聚物的哈密顿量模型

§3.2求解环状高聚物的哈密顿量

§3.3简单非简并态高聚物与环状导电高聚物的区别

§3.4 其它结构参数对体系的影响

§3.5举例说明计算结果

第四章总结

参考文献

论文发表情况

致谢