65nm闪存基准电压调整算法的应用和改进

摘要

本论文结合Intel上海科技有限公司65nmNOR型闪存的开发项目,在深入了解闪存基准电压调整算法的基础上,将此理论算法应用于65nmNOR型闪存,并根据测试中遇到的问题作了一定的改进。
　　 芯片中的基准电压是指在电路中用作电压基准的高稳定度的电压源,它也是闪存芯片中不可缺少的电路模块,是闪存实现各种操作的基础,例如读写操作都需要在存储单元的栅极或漏极加上固定大小的电压。随着工艺水平的不断提高,芯片内部的特性有所不同,并且对基准电压的精度要求也越来越高,所以原有的基准电压调整算法就不能适用于65nm的闪存。这就要求在原有算法的基础上根据新工艺的一些特性进行一定的创新和改进。本文从NOR型闪存最基本的写入机制入手,详细研究原有算法的每一个步骤,掌握原有算法的关键所在,然后通过大量的实验数据得到与65nm工艺相关的一些特性指标,如写入特性曲线的斜率等,根据这些新的特性参数对算法进行调整,使其能适用于65nm的工艺水平。
　　 一个好的算法必须要能通过大规模量产的检验,即要满足量产的一些要求,如测试良品率至少要控制在99％以上。本文根据大规模测试中发生的问题,对大量的测试数据进行分析,找到问题的共性所在,再结合芯片电路的理论知识,从理论上解释了问题的根本原因,最后提出了行之有效的解决方案,使得良品率提高了3％以上。