摘要
第一章 前言
1-1 腔量子电动力学研究背景与研究动机
1-2 本文基本框架
参考文献
第二章 腔量子电动力学基本理论
2-1 半导体自组织生长量子点概述
2-1.1 基于SK生长模式的MOCVD外延生长概述
2-1.2 半导体量子点中的激子态以及光学性质
2-2 基于腔量子电动力学的单量子点与微腔的耦合
2-2.1 强耦合区:真空Rabi分裂
2-2.2 弱耦合区:Purcell效应
2-3 半导体纳米微腔结构概述
2-3.1 圆盘形微腔
2-3.2 微柱形微腔
2-3.3 光子晶体微腔
参考文献
第三章 微柱形腔量子点的制备与实验配置
3-1 微柱形腔量子点的生长与加工
3-1.1 样品设计与生长
3-1.2 微柱形腔量子点的刻蚀与加工
3-2 实验配置与方法
3-2.1 共焦显微荧光光谱系统
3-2.2 深低温、强磁场系统
参考文献
第四章 单量子点-微腔耦合系统自发辐射的温度调控
4-1 前言
4-2 实验配置
4-3 实验结果与讨论
4-3.1 单个量子点-微腔结构的变温PL光谱
4-3.2 腔量子电动力学:Purcell效应
4-3 小结
参考文献
第五章 Purcell效应的磁场调控及激子自旋态的选择性耦合
5-1 前言
5-2 磁场中单个量子点的塞曼效应与抗磁效应
5-2.1 样品与实验配置
5-2.2 结果与讨论
5-3 单量子点-微腔耦合系统中Purcell效应的磁调控以及自旋相关的自发辐射速率的选择性增强
5-3.1 实验配置与方法
5-3.2 实验结果与讨论
5-4 小结
参考文献
第六章 后续研究方向的分析与展望
6-1 Ⅱ-Ⅵ族量子点
6-2 单量子点与微腔的强耦合的实现
6-3 共振激发与共振荧光的探测
参考文献
第七章 总结
附录:EBL结合ICP刻蚀腔量子点的流程
博士期间发表的论文
致谢
声明