摘要
第一章 引言
1.1 聚变能
1.2 受控核聚变
1.3 材料辐照效应
1.4 结构材料
1.5 本论文的主要内容
第二章 理论计算基础和软件包介绍
2.1 理论计算基础
2.1.1 第一性原理(First Principle)
2.1.2 近似处理方法
2.1.3 密度泛函理论(Density functional theory,DFT)
2.1.4 能带理论
2.2 计算软件
2.2.1 Material Studio-CASTEP介绍
2.2.2 VASP介绍
2.2.3 两种软件对比
2.3 总结
第三章 He对Ti3SiC2材料结合性能的影响
3.1 Ti3SiC2材料晶体结构以及特性
3.2 Ti3SiC2材料中氦原子的行为
3.2.1 单个He原子的占据位置
3.2.2 单个He原子对材料性能的影响
3.2.3 Ti3SiC2材料中的单个氨原子的迁移
3.2.4 Ti3SiC2材料中氮原子团簇行为
3.3 Ti3SiC2材料中的空位缺陷与氨的相互作用
3.3.1 材料中的空位形成能
3.3.2 Ti3SiC2材料中的空位对氦的捕获
3.4 结论
第四章 H引起的α-Fe材料中空位团各向异性成核
4.1 Bee-Fe材料中单个空位和单个H的行为
4.1.1 单个H原子在纯Bcc-Fe材料中的占位情况
4.1.2 单个空位在纯Bcc-Fe材料中的行为
4.2 单空位附近的H-V复合体行为
4.3 空位团各向异性成核
4.3.1 空位团簇的形成
4.3.2 三空位团簇与H的相互作用
4.3.3 空位缺陷的演化
4.4 总结
第五章 总结
参考文献
在校期间发表论文列表
致谢
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