新型真空内氧化工艺制备Cu-Al_2O_3复合材料及其组织与性能的研究

摘要

Cu-A1_2O_3复合材料具有高的强度和高导电性及优良的抗电弧性能，广泛应用于电子封装材料、电极和电接触材料。本文采用机械合金化法制备了不同铝含量的亚稳态的Cu-Al合金粉末，采用新型真空内氧化工艺制备了不同成分的高强度高导电Cu-Al2O3复合材料。研究了Cu-Al系合金粉末发生内氧化所需的条件，根据理论分析制定出相应的工艺参数；分析研究了各种影响Cu-Al2O3复合材料组织与性能的因素；测试了本课题制备的Cu-Al2O3复合材料的室温性能，热稳定性能；优选了适合Cu-Al2O3复合材料的电导模型。研究结果表明：1．当Cu-Al混合粉末球磨时间大于96h时，Cu的(111)面的点阵常数变为0.3653nm，Al的衍射峰已完全消失。通过分析可知，经过96h的球磨，Al原子已经完全吲溶于Cu的晶格中。2．在本文实验条件下Cu-Al合金发生内氧化的气氛条件为：氧分压应控制在8.64×10-28pa≤PO2≤10-2pa，没有严格的要求。本文采用的两种内氧化工艺，即氮气保护下的内氧化和新型真空内氧化工艺，都可以满足Cu-Al合金发生内氧化的气氛条件。

目录

第一章 文献综述

第二章 Cu-Al-Cu_2O系粉末的制备

第三章 Cu-Al系合金粉末内氧化工艺参数的确定

第四章 新型内氧化工艺制备Cu-Al_2O_3复合材料的研究

第五章 Cu-Al_2O_3复合材料的电导模型

第六章 结论

致谢

参考文献