声明
摘要
1．绪论
1．1 铝合金及其表面处理技术概述
1．2 微弧氧化技术
1．2．1 微弧氧化发展历史及研究现状
1．2．2 微弧氧化原理及击穿原理
1．2．3 微弧氧化陶瓷层结构与性能
1．2．4 微弧氧化技术的应用
1．3 影响微弧氧化工艺的因素
1．4 微弧氧化技术存在的问题与本课题研究目的及意义
1．4．1 微弧氧化存在主要问题
1．4．2 研究意义
1．5 本课题研究内容及技术路线
1．5．1 研究内容
1．5．2 技术路线
2．实验方法及设备
2．1 试样及制备
2．1．1 试样材料
2．1．2 试样尺寸及制备
2．1．3 实验药品及溶液配制
2．2 实验设备及使用
2．2．1 微弧氧化设备及试样制备
2．2．2 电化学工作站及交流阻抗测定
2．2．3 JSM-6700F扫描电子显微镜
2．2．4 涡流测厚仪
2．2．5 溶液的电导率
2．3 相关参数的定义
2．3．1 起弧时间及起弧电压
2．3．2 消耗能量的定义
2．3．3 起弧瞬间单脉冲能量及功率
2．3．4 陶瓷层生长耗能
3．溶质离子对微弧氧化起弧条件的影响
3．1 溶质离子对微弧氧化起弧必要条件的影响
3．2 不同峰值电流下溶质离子对微弧氧化起弧条件的影响
3．2．1 不同峰值电流条件下溶质离子对起弧时间及电压变化规律的影响
3．2．2 不同峰值电流条件下溶质离子对起弧瞬间表面阻抗值的影响
3．2．3 溶质离子对起弧消耗总能量的影响
3．2．4 溶质离子对起弧瞬间膜层表面形貌的影响
3．3 不同脉宽下溶质离子对微弧氧化起弧条件的影响
3．3．1 溶质离子对起弧时间及电压变化规律的影响
3．3．2 溶质离子对起弧瞬间表面阻抗值的影响
3．3．3 溶质离子对起弧瞬总能量的影响
3．3．4 溶质离子对起弧瞬间膜层表面形貌的影响
3．4 溶质离子对微弧氧化起弧条件影响机制的探讨
3．4．1 溶质离子对微弧氧化起弧的必要性讨论
3．4．2 溶质离子对微弧氧化起弧机制及能量的影响
4．等电通量下微弧氧化起弧临界功率及能量的探讨
4．1 固定脉宽等电通量下微弧氧化起弧临界功率及能量的探讨
4．2 固定脉数等电通量下微弧氧化起弧临界功率及能量的探讨
4．3 小结
5．等电通量下溶质离子对微弧氧化生长的影响机制
5．1 固定脉宽等龟通量下溶质离子对微弧氧化生长的影响机制
5．1．1 溶质离子对微弧氧化生长电压的影响
5．1．2 溶质离子对微弧氧化生长耗能的影响
5．1．3 溶质离子对微弧氧化膜层表面形貌的影响
5．2 固定脉数等电通量下溶质离子对微弧氧化生长的影响机制
5．2．1 溶质离子对微弧氧化生长电压的影响
5．2．2 溶质离子对微弧氧化膜层生长耗能的影响
5．2．3 溶质离子对微弧氧化膜层阻抗值及表面形貌的影响
5．3 小结
6 结论
致谢
参考文献
