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目录
1 绪论
1.1 半导体的光催化作用原理
1.2 半导体光催化材料研究进展
1.3 BiVO4光催化材料的研究现状
1.4 BiVO4的制备方法
1.5 光催化剂催化活性的影响因素
1.6 本论文研究思路、内容及创新点
2 实验部分
2.1 实验原料
2.2 工艺流程
3 纯相BiVO4粉体的制备与光催化性能研究
3.1 NaOH加入量对BiVO4粉体的影响
3.2 反应温度对BiVO4粉体的影响
3.3 反应时间对BiVO4粉体的影响
3.4 PVP对BiVO4粉体的影响
3.5 本章小结
4 N掺杂BiVO4粉体的制备与光催化性能研究
4.1 反应温度对N掺杂BiVO4粉体的影响
4.2 不同N/Bi摩尔比对N掺杂BiVO4粉体的影响
4.3 本章小结
5 F掺杂BiVO4粉体的制备与光催化性能研究
5.1反应温度对F掺杂BiVO4粉体的影响
5.2不同F/Bi摩尔比对F掺杂BiVO4粉体的影响
5.3 本章小结
6 Cu掺杂BiVO4粉体的制备与光催化性能研究
6.1反应温度对Cu掺杂BiVO4粉体的影响
6.2不同掺杂量对Cu掺杂BiVO4粉体的影响
6.3 本章小结
7 稀土离子共掺BiVO4粉体的制备与光催化性能研究
7.1 Er和Sm共掺杂对BiVO4粉体的影响
7.2 Nd和Eu共掺杂对BiVO4粉体的影响
7.3 本章小结
8 结论
致谢
参考文献
攻读博士期间发表的学术论文
声明
陕西科技大学;