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目录
1 综述
1.1 引言
1.2 正常磁电阻效应
1.3 各向异性磁电阻效应
1.4 巨磁电阻效应
1.5 隧道磁电阻效应
1.6庞磁电阻效应
1.7 铁磁金属/半导体薄膜体系中的磁电阻效应
1.8 本论文的思路以及工作安排
2 薄膜的制备及分析测试
2.1 前言
2.2 薄膜的制备
2.3 薄膜的厚度、成分、结构及其性能分析
3 不同温度下沉积的Co-ZnO颗粒膜的结构和性能分析
3.1 前言
3.2 实验过程
3.3 不同基片温度下沉积的Co-ZnO颗粒膜的结构
3.4 不同基片温度下沉积的Co-ZnO颗粒膜的磁性
3.5 不同基片温度下沉积的Co-ZnO颗粒膜的磁电阻效应
3.6 本章小结
4 三明治结构GF(400℃)/ZnO(xnm)(RT)/GF(RT)薄膜的磁性和磁电阻效应
4.1 前言
4.2 实验过程
4.3 GF(400℃)/ZnO(20nm)(RT)/GF(RT)薄膜
4.4 GF(400℃)ZnO(0nm,20nm,40nm)(RT)/GF(RT)薄膜的比较
4.5 本章小结
5 掺杂Al对GF基薄膜磁电阻效应的影响
5.1 前言
5.2 实验过程
5.3 三明治结构 GF(400℃)/ZnO/[Co/ZnAlO]样品的磁性和磁电阻效应
5.4 ZnO(y nm)/[Co/ZnAlO]10样品的磁电阻效应
5.5 本章小结
6 结论
致谢
参考文献
附录