多孔硅复合ZnO和CdS纳米粒子的光致发光特性

摘要

多孔硅(PS)是近年来发展起来的一种新型硅基材料,具有与单晶硅材料大不相同的特性.多孔硅可在近红外和可见,甚至在近紫外光区辐射强烈的荧光,使得它可用来制造发光器件,并可望能用来解决光电子集成电路的关键问题,为制造带有光源的大规模集成电路—光电集成方面开辟新的途径.本体硅为间接禁带半导体,且禁带宽度比较窄(1.12 eV),在室温下很难发可见光.多孔硅改变了本体硅的能带结构,使禁带宽度展宽,并由间接禁带向直接禁带转变,实现了室温发光.在比较了制备多孔硅的几种常用方法的基础上,概括了多孔硅的光致发光(PL)和电致发光(EL)特性,对目前比较流行的发光模型给出了定性的论述,展望了多孔硅的应用前景.