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第一章绪论
§1.1概述
1.1.1低维半导体材料
1.1.2宽带隙半导体材料
§1.2低维纳米结构的概念
§1.3低维纳米结构的应用
§1.4低维纳米结构中电子态的计算方法
1.4.1第一性原理
1.4.2有效质量包络函数理论
§1.5本论文的主要工作
第二章半导体量子阱中氢施主杂质的电子态研究
§2.1引言
§2.2理论模型
§2.3数值计算与结果分析
2.3.1氢施主杂质的能级与量子阱宽度的关系
2.3.2氢施主杂质的基态结合能与量子阱宽度、带阶的关系
2.3.3不同形状量子阱中杂质能级和结合能的比较
§2.4结论
第三章量子线中氢施主杂质的电子态研究
§3.1引言
§3.2理论模型
§3.3数值计算与结果分析
3.3.1氢施主杂质的结合能与杂质的位置、外电场的关系
3.3.2氢施主杂质的结合能与量子线半径的关系
3.3.3氢施主杂质的斯塔克能移与外电场、半径的关系
§3.4结论
第四章外电场对闪锌矿结构Ⅲ族氮化物量子点中氢施主杂质的影响
§4.1引言
§4.2理论模型
§4.3数值计算与结果分析
4.3.1氢施主杂质的结合能与杂质的位置、外电场的关系
4.3.2氢施主杂质的结合能与柱形量子点高度的关系
4.3.3氢施主杂质的结合能与柱形量子点半径的关系
§4.4结论
参考文献
在校期间的研究成果及发表的学术论文
致谢