导带弯曲对球形量子点线性和非线性光学吸收系数的影响及压力效应

摘要

在有效质量近似下，考虑异质结界面处实际异质结势，采用三角势近似导带弯曲，并计及流体静压力效应，利用变分原理研究了有限高势垒GaN/AlxGa1-xN球形量子点杂质态电子从1s态跃迁到2p0态一阶线性和三阶非线性光学吸收系数及压力效应，得到了光学吸收系数随电子面密度和流体静压力的变化关系.数值计算结果表明，随电子面密度的增加，吸收系数峰值的位置向短波方向移动（即蓝移），且一阶线性吸收系数随之增高，三阶非线性吸收系数随之降低;随压力的增加，吸收系数峰值的位置先向长波方向移动（红移），然后向短波方向移动（蓝移），且一阶线性吸收系数随之降低，三阶非线性吸收系数随之升高.计算结果指出考虑导带弯曲效应可减弱量子尺寸效应对吸收系数的影响.研究表明，导带弯曲效应及压力效应对球形量子点结构吸收系数有着不可忽略的影响.

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摘要

第一章 引言

§1．1 本领域研究发展概况

§1．2 论文内容安排

第二章 导带弯曲对GaN／AlxGa1-xN球形量子点光吸收系数的影响及压力效应

§2．1 理论模型

§2．2 压力对参数的影响

§2．3 计算结果与讨论

§2．4 结论

参考文献

致谢

攻读硕士学位期间完成的学术论文