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第一章 绪论
1.1 引言
1.2 常用数据存储技术简介
1.2.1 磁存储技术
1.2.2 半导体存储技术
1.2.3 光存储技术
1.3 高密度存储技术发展现状
1.3.1 高密度磁存储技术
1.3.2 高密度半导体存储技术
1.3.3 高密度光存储技术
1.3.4 超高密度扫描探针存储技术
1.4 本论文的研究意义及目标
1.5 本论文研究内容及结构安排
参考文献
第二章 存储原理与实验系统设计
2.1 硫系相变材料概述
2.1.1 相变原理
2.1.2 相变存储原理
2.1.3 相变材料的选择
2.2 原子力显微镜概述
2.2.1 AFM工作原理
2.2.2 AFM工作模式
2.3 相变探针存储机理
2.3.1 信息写入机理
2.3.2 信息擦除机
2.3.3 信息读取机理
2.4 实验系统
2.5 本章小结
参考文献
第三章 存储介质的制备及表征
3.1 电极层的制备
3.2 GeSb2Te4薄膜的制备
3.2.1 表面形貌分析
3.2.2 表面形貌的分形表征
3.3 GeSb2Te4薄膜分析
3.3.1 成分分析
3.3.2 状态分析
3.3.3 内部结构分析
3.3.4 晶化分析
3.4 本章小结
参考文献
第四章 存储介质热、电、力学性能分析
4.1 热学性能分析
4.1.1 差示扫描量热分析原理
4.1.2 热学参数测定
4.2 电学性能分析
4.2.1 四探针测薄膜电阻原理
4.2.2 电阻率分析
4.2.3 I-V特性分析
4.2.4 导电激活能分析
4.3 力学性能分析
4.3.1 纳米压痕测试原理
4.3.2 硬度和弹性模量分析
4.3.3 粘附与摩擦性能分析
4.3.4 应力分析
4.4 本章小结
参考文献
第五章 相变探针存储过程有限元仿真
5.1 热电耦合模型
5.2 写入过程仿真
5.2.1 时间对写入过程的影响
5.2.2 电压对写入过程的影响
5.3 擦除过程仿真
5.4 实验验证
5.5 结构参数分析
5.5.1 探针对存储过程的影晌
5.5.2 电极层对存储过程的影响
5.6 本章小结
参考文献
第六章 结论与展望
6.1 结论
6.2 展望
致谢
攻读学位期间发表的学术论文