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李京兵;
湘潭大学;
面积; MoS2; WS2; 薄膜; 改进; CVD法; 制备; 摩擦;
机译:Si / SiO2基板上的大面积MOS2,WS2和MOSE2单层的玻璃辅助CVD生长
机译:使用CVDGrown MoS2和WS2单层微调大面积异质结构中的层间耦合
机译:微观结构对MOS2 / WS2薄膜的摩擦学性能和耐腐蚀性的影响
机译:WS2 / MoS2 / C复合膜的制备及其摩擦学性能
机译:单层MOS2和WS2冷壁CVD合成的探索
机译:干滑条件下CVD生长的MoS2和石墨烯薄膜的摩擦性能比较
机译:受控硫化工艺合成大面积MoS2薄膜和MoS2 / WS2异质结构
机译:表征mos2 / Ws2纳米管和纳米团簇用于脱硫催化的基本催化性能:表面化学研究。
机译:“一锅法”用胺和/或长链脂肪酸和/或提奥利酮合成钨,钼(ws2,mos2)的热分解物的1d,2d和0d纳米晶
机译:通过长链胺和/或羧酸和/或硫醇官能化的钨和硫族硫化物(WS2,MoS2)的“一锅法”合成2D,1D和0D纳米晶体
机译:通过长链胺和/或羧酸和/或硫醇官能化的钨和硫族钼化物(WS2,MoS2)的“一锅法”合成2D,1D和0D纳米晶体
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