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【6h】

钛酸铅镧钙薄膜的微观结构表征及电学性能研究

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摘要

第1章 绪论

1.1 课题背景和意义

1.2 铁电薄膜

1.2.1 PT基铁电薄膜的发展现状及问题

1.2.2 PT基铁电薄膜的微观结构表征及电学性能的研究现状

1.3 薄膜的制备方法

1.4 PT基铁电薄膜的应用

1.4.1 铁电薄膜的红外探测原理

1.4.2 铁电薄膜在存储器方面的应用

1.4.3 铁电薄膜在微波器件方面的应用

1.5 本论文的研究内容

第2章 试验材料及研究方法

2.1 Sol-Gel技术的现状及特点

2.2 主要的工艺流程

2.3 主要检测与表征手段

2.3.1 小角X-ray散射分析

2.3.2 薄膜表面粗糙度及显微织构观察

第3章 La/Ca掺杂PbTiO3薄膜性能与机理研究

3.1 PCT,PLT,PLCT薄膜的晶体结构

3.2 掺杂对薄膜的剩余极化强度及疲劳特性的研究

3.3 本章小结

第4章 PLCT薄膜的界面优化与电学性能的研究

4.1 磁控溅射PLCT薄膜的制备

4.2 PLCT薄膜厚度及物相表征

4.3 PLCT种子层对PCT薄膜织构类型的影响

4.4 PLCT薄膜的界面优化与电学性能研究

4.4.1 PLCT种子层优化PCT铁电薄膜表面形貌

4.4.2 PLCT种子层优化PCT铁电薄膜的漏点特性研究

4.5 本章小结

结论

参考文献

致谢

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摘要

PbTiO3基铁电薄膜在热释电探测器,动态随机存储器,非挥发性铁电存储器及微电机械系统中具有广泛的应用前景。但是,将PT基铁电薄膜应用于实际器件时还存在一些障碍,总的来说主要有体材料优良电学性能的保持,降低处理温度,提高抗极化疲劳和降低漏电流四方面。本文以Pb1-x-yLaxCayTi1-x/4O3薄膜为研究对象,主要研究了掺杂对薄膜的微观结构表征及电学性能的研究。
   首先,运用Sol-Gel法在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备Pb1-x-yLaxCayTi1-x/4O3(x=0.2,y=0);(x=0.15,y=0.05);(x=0.1,y=0.1);(x=0.05,y=0.15);(x=0,y=0.2)五种铁电薄膜,研究掺杂工艺对薄膜织构控制的影响。采用XRD手段对薄膜的物相和织构取向进行分析,然后对五种薄膜进行剩余极化强度和抗极化疲劳性能测试。其次,在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上先涂覆一层Pb0.8La0.1Ca0.1Ti0.975O3薄膜后运用磁控溅射法溅射一层Pb0.8Ca0.2TiO3薄膜,运用小角X射线衍射分析测量种子层Pb0.8La0.1Ca0.1Ti0.975O3薄膜的厚度,研究种子层对Pb0.8Ca0.2TiO3薄膜的织构性能优化,采用AFM(原子力扫描显微镜)对优化后的Pb0.8Ca0.2TiO3薄膜进行表面形貌分析,并运用铁电测试仪测试了漏电特性。
   实验结果表明,改变掺杂pb3+,Ca2+离子含量的PbTiO3基铁电薄膜的衍射峰强度存在着明显的差别,薄膜织构得到有效的控制,La3+离子和Ca2+离子的掺入增加了晶格畸变和不对称取代,出现了(200)衍射峰向着高角位方向偏移。高低价金属离子混合掺杂至(x=0.1,y=0.1)时剩余极化强度得到了增加,随后随着Ca2+离子的继续增加,剩余极化强度却降低。通过小角XRD测得薄膜厚度为14nm,而且通过种子层的XRD谱可知450℃退火时,薄膜具有强烈的(100)衍射峰,展现完整的钙钛矿结构。通过种子层成功的实现了控制Pb0.8Ca0.2TiO3薄膜的(100)织构得到增强,同时种子层不但改善了Pb0.8Ca0.2TiO3薄膜表面形貌,而且降低了薄膜的漏电流密度。

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