声明
1 引言
1.1 Si表面的重构模型
1.2 硅表面典型纳米结构的研究现状
1.3 量子隧穿效应
1.4 Rashba类型的自旋轨道耦合效应
1.5 Slater类型的反铁磁绝缘体
1.6 本论文主要研究内容
2 理论计算方法
2.1电子和原子核相互作用的基本方程
2.2密度泛函理论
2.3 第一性原理相关软件介绍
3低温下Si(001)表面的量子隧穿效应
3.1 背景介绍
3.2 计算方法和计算细节
3.3 计算结果及讨论
3.4 本章小结
4自旋轨道耦合效应对Pb/Si(111)、Pb/Ge(111)基态作用研究
4.1 研究背景
4.2 计算方法和细节
4.3 计算结果和讨论
4.4本章小结
5 Slater类型的Sn/Si(111)的绝缘体基态机制研究
5.1背景介绍
5.2 计算方法和细节
5.3 计算结果和讨论
5.4本章小结
6低覆盖度下Cu原子在Si(111)-7×7表面的团簇基态研究
6.1 背景介绍
6.2 计算方法和细节
6.3 计算结果和讨论
6.4本章小结
7 总结及展望
7.1 工作总结
7.2 研究展望
参考文献
在学期间发表的学术论文
致谢