生长发育期安氏Ⅱ错（牙合）不同生长型颅面形态与上气道关系的头影测量研究

摘要

目的:了解生长发育期颅面形态与上气道各部位之间的关系,探讨生长发育期安氏Ⅱ<'1>错(牙合)不同生长型的颅面结构对气道的影响,为指导临床矫治提供依据.结论:本研究通过对安氏Ⅱ<'1>高角型、平均型、低角型各30名,与正常(牙合)30名的上气道间隙进行比较后,结果提示:①安氏Ⅱ<'1>高角型鼻咽气道间隙(PNS-UPW)、上口咽气道间隙(U-MPW)明显减小(P<0.05),下口咽气道间隙(PAS)显著减小(P<0.01),喉咽气道间隙(V-LPW)无显著差异.②安氏Ⅱ<'1>平均型上口咽气道间隙(U-MPW)、下口咽气道间隙(PAS)明显减小(p<0.05),喉咽气道间隙(V-LPW)无显著差异.③安氏Ⅱ<'1>低角型鼻咽气道间隙(PNS-UPW)、上口咽气道间隙(U-MPW)、下口咽气道间隙(PAS)无显著差异,喉咽气道间隙(V-LPW)无显著差异.安氏Ⅱ<'1>高角型、平均型主要特征为下颌后缩,均表现上气道狭窄,且高角型气道狭窄的部位更多,程度更明显,极易引发OSAS.因此,对于下颌后缩的高角型、平均型患者,应早期使用功能矫治器导下颌向前,同时高角型配合口外弓控制垂直方向生长,增大气道及口腔功能间隙,促进下颌骨发育,减少OSAS的发生.低角型的主要特征为上颌前突,上气道无明显狭窄,正畸治疗时主要抑制上颌的过度生长,尽量减少下颌骨相对位置的改变.

目录

前言

材料和方法

结果

讨论

结论

附图

附表

参考文献

综述 颅面结构与上气道结构的相关性研究

致谢

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