转动面内场作用下硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的消失

摘要

该文首次研究了在转动面内场作用下普通硬磁泡(OHB)、第Ⅰ类哑铃畴(ⅠD)和第Ⅱ类哑畴(ⅡD)的变化规律,实验发现转动面内场作用下三类硬磁畴的软化亦存在一个临界面内场范围[H<,ip'(0),H'<,ip>],且这个临界面内场范围[H<,ip'(0),H'<,ip>]比不转动面内场时的临界面内场范围[H<,ip'(0),H'<,ip>]明显变窄.该文还研究了软畴段在面内场作用下的行为,发现面内场对软畴段的条泡转变场H<,sb>和软泡灭场H<,0>有很大的影响,而且H<,sb>和H<,0>随H<,ip>的变化与晶向有关.比较不同晶向上的结果,得到了一个与磁泡材料参量相关的分界面内场(H<,ip>)<,d>.该分界面内场将面内场对软畴段的影响分为高面内场区和低面内场区.

目录

文摘

英文文摘

第一章绪论

第二章磁畴与布洛赫线—文献综述

第一节磁畴与磁泡

第二节畴壁结构与布洛赫线

第三节面内场对畴壁及VBL链的影响

第四节三类硬磁畴的分类

第三章实验结果和讨论

第一节面内场作用下软畴段的行为

第二节面内场作用下IID软化的临界面内场与晶向的关系

第三节转动面内场作用下硬磁畴畴壁中VBL的消失

一 转动面内场作用下IID畴壁中VBL的消失

二 转动面内场作用下ID畴壁中VBL的消失

三 转动面内场作用下OHB畴壁中VBL的消失

第四章结论

参考文献

硕士期间发表论文情况

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