RE-Cu-V(RE=Er，Dy)三元系合金相图773K等温截面及热电材料CoSi和CrSi晶格热膨胀的研究

摘要

本文利用X射线粉末衍射技术、金相分析、差热分析和电子显微镜能谱分析等技术和方法分别研究测定了Er-Cu-V和Dy-Cu-V三元系合金相图773K等温截面。结果表明，Er-Cu-V三元系合金相图773K等温截面存在8个单相区、13个两相区和6个三相区，证实了二元化合物ErCu5、ErCu2、ErCu、Er2Cu9和Er2Cu7的存在。Dy-Cu-V三元系合金相图773K等温截面也存在8个单相区、13个两相区和6个三相区，证实了二元化合物DyCu5、DyCu2、DyCu和Dy2Cu9的存在。没有发现这两个体系中存在三元化合物。没有观察到V在Er-Cu和Dy-Cu二元化合物中的固溶度。
　　 利用动态高温粉末X射线衍射技术对热电材料CoSi和CrSi2在室温至973K温度范围内的晶格热膨胀性质进行了研究，测定了这两个化合物的晶格热膨胀系数。化合物CoSi的晶格热膨胀系数和晶胞体热膨胀系数分别为：aα=1.14×10-5K-1和av=3.42×10-5K-1。化合物CrSi2的晶胞参数随着温度升高而逐渐增大。CrSi2的晶格热膨胀系数分别为：aα=0.96×10-5K-1和ac=0.73×10-6K-1。在测量温度范围内，晶格热膨胀系数沿α轴方向远大于沿c轴方向，表现各向异性。CrSi2的晶胞体热膨胀系数为av=2.45×10-5K-1。

目录

文摘

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上篇RE-Cu-V(RE=Er,Dy)三元系合金相图773K等温截面

第一章引言

第二章历史资料

2.1 Er、Dy、Cu、V的原子参数

2.2 Er-Cu二元系

2.3 Dy-Cu二元系

2.4 Cu-V二元系

2.5 Er-V二元系

2.6 Dy-V二元系

2.7相关三元系相图

第三章实验原理和方法

3.1相图的测定

3.2试样的制备

3.3合金试样的均匀化处理

3.4物相分析技术

3.5相界的确定方法

3.6晶体点阵常数的精确测定

3.7关于PDF卡片

第四章实验过程

4.1配料以及所用设备

4.2实验过程

第五章实验结果和讨论

5.1 Er-Cu-V三元系

5.2 Dy-Cu-V三元系

5.3讨论

5.4结论

参考文献

下篇热电材料CoSi和CrSi2晶格热膨胀的研究

第一章引言

第二章热膨胀性能及方法

2.1热膨胀性能

2.2热膨胀的定性解释

2.3热膨胀系数

2.4热膨胀系数的测量方法

第三章实验过程

3.1 CoSi和CrSi2样品的制备

3.2晶格热膨胀测定

第四章实验结果及讨论

4.1 CoSi

4.2 CrSi2

4.3结论

参考文献

附录

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