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摘要
Abstract
Contents
第一章 绪论
1.1 研究背景
1.2 等离子体在半导体制造中的应用
1.2.1 等离子体的产生
1.2.2 等离子体刻蚀工艺
1.2.3 PECVD中的等离子体
1.3 耐等离子体刻蚀陶瓷材料的研究现状
1.3.1 刻蚀机腔体内部件陶瓷材料的特点
1.3.2 石英玻璃材料
1.3.3 碳化硅材料
1.3.4 氮化铝材料
1.3.5 氧化铝材料
1.3.6 氧化钇材料
1.3.7 陶瓷材料的耐等离子体刻蚀性能
1.4 课题来源、选题意义及主要研究内容
1.4.1 课题来源
1.4.2 选题意义
1.4.3 研究内容
第二章 实验过程与性能表征
2.1 研究路线
2.2 实验原材料
2.3 试样的制备
2.4 性能表征
2.4.1 阿基米德排水法测试致密度
2.4.2 压痕法测试维氏硬度
2.4.3 单边切口梁法测试断裂韧性
2.4.4 三点抗弯测试强度
2.4.5 脉冲激励法测试弹性模量
2.5 等离子体刻蚀与氢氟酸腐蚀
2.5.1 前期抛光处理
2.5.2 等离子体刻蚀测试
2.5.3 氢氟酸腐蚀测试
2.5.4 陶瓷样品的表面形貌分析
2.6 物相及显微结构分析
第三章耐等离子体刻蚀陶瓷的制备及力学性能研究
3.1 引言
3.2 试样制备
3.3 测试分析
3.3 结果与讨论
3.3.1 XRD物相分析
3.3.2 SEM显微结构
3.3.3 致密机理
3.3.3 硬度和断裂韧性
3.3.5 弹性模量
3.4 本章小结
第四章陶瓷材料的耐等离子体刻蚀性能研究
4.2 刻蚀前后的粗糙度和表面形貌对比
4.3 原子力显微镜观察刻蚀表面的三维形貌
4.4 本章小结
第五章 陶瓷材料的等离子体刻蚀机制研究
5.1 引言
5.2 等离子体刻蚀和氢氟酸腐蚀
5.3 陶瓷材料的等离子体刻蚀和氢氟酸腐蚀的表面形貌
5.4 陶瓷材料的等离子体刻蚀机制
5.5 本章小结
结论与展望
参考文献
