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摘要
绪论
第一章中子辐照GaAs掺杂研究中存在的问题
第二章SI-GaAs堆中子(n,γ)反应的嬗变掺杂
第三章SI-GaAs堆快中子的嬗变掺杂
第四章SI-GaAs14MeV中子的宏观截面
结语
致谢
王吉山;
兰州大学;
中子嬗变掺杂; 半绝缘砷化镓; 反应堆中子; 宏观截面; 杂质转换系数; 半导体材料; 核反应;
机译:基于低温生长的砷化镓和半绝缘砷化镓的光电导天线的发射特性
机译:半绝缘砷化镓肖特基二极管的电场行为和电荷密度分布
机译:基于半绝缘镓砷化砷化镓的弓形光电导电天线产生THz辐射
机译:太赫兹脉冲产生过程中低温砷化镓和半绝缘砷化镓的衬底条件比较
机译:在半绝缘砷化镓上通过喷涂技术沉积的基于碳纳米管的光电探测器
机译:离子注入半绝缘砷化镓的TEm(透射电子显微镜)研究
机译:制造半绝缘砷化镓晶片和半绝缘砷化镓晶片的方法
机译:制备半绝缘砷化镓晶片的方法和半绝缘砷化镓晶片
机译:半绝缘砷化镓半导体单晶的热处理,半绝缘砷化镓半导体单晶和晶片的热处理
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