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【6h】

纳米ZnSe、CdSe、CuSe的合成及相关性质的研究

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声明

1绪论

1.1纳米材料的特性

1.1.1表面与界面效应

1.1.2小尺寸效应

1.1.3量子尺寸效应

1.1.4宏观量子隧道效应

1.1.5库仑阻塞与量子隧穿

1.2纳米材料的应用

1.2.1在光学材料方面的应用

1.2.2在催化方面的应用

1.2.3在环境治理方面的应用

1.2.4在能源材料方面的应用

1.2.5在传感器材料中的应用

1.2.6在陶瓷材料中的应用

1.2.7在其它方面的应用

1.3硒化物纳米材料的研究现状

1.3.1 ZnSe材料的研究现状及应用前景

1.3.2 CdSe材料的研究现在及其应用前景

1.3.3 Cu2Se材料的研究现状及应用前景

1.4纳米半导体材料的制备方法

1.4.1纳米半导体材料的制备要求

1.4.2纳米半导体材料的制备方法

1.5本文的研究内容及其创新点

2 CHM法制备ZnSe纳米棒及性质的研究

2.1引言

2.2 ZnSe纳米棒的制备

2.3 ZnSe纳米棒的表征

2.3.1 XRD图谱分析

2.3.2 SEM,TEM表征

2.4 ZnSe纳米棒的湿敏性质研究

2.4.1湿敏传感电极的制作及测试平台

2.4.2感湿电极的湿敏特性

2.4.3感湿电极湿敏机理分析

2.5本章小结

3 CHM法制备CdSe纳米晶体及性质的研究

3.1引言

3.2硒化镉纳米晶体的合成及表征

3.2.1实验过程

3.3 CdSe纳米晶体的表征

3.3.1 XRD图谱和结构分析

3.3.2样品的形貌分析

3.3.3 UV-vis光谱分析

3.4 CdSe纳米材料的性质研究

3.4.1湿敏特性的研究

3.4.2感湿电极湿敏机理分析

3.5本章小结

4 CHM法制备Cu2Se纳米晶体及性质的研究

4.1前言

4.2 Cu2Se纳米晶体的合成及表征

4.2.1实验过程

4.3 Cu2Se晶体的表征

4.3.1 XRD、SEM和TEM表征与分析

4.3.2 UV-vis吸收谱表征

4.4硒化亚铜生长机理的探讨

4.5本章小结

5总结和展望

5.1主要结论

5.2后续工作展望

致 谢

参考文献

附 录

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摘要

随着科技的发展,特别是半导体工艺技术的发展,人们对高效功能材料的需求越来越多。当然,对高效半导体材料的需求更为迫切。而且,量子点和纳米晶体已经发展到可以与玻尔激子半径比拟的长度,半导体纳米材料以其在电子学和光学方面的独特性能而倍受青睐。
   作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料(Eg=2.7eV),硒化锌(ZnSe)在在太阳能电池,半导体光电子器件,光电探测器,全波显示,高密度存储器,生物标签以及湿敏传感器等方面得到广泛的应用。本文第一个在不加任何有机分散剂情况下,采用复合碱媒介法(CHM)制备出ZnSe纳米棒。用X射线衍射(XRD),场发射扫描电子显微镜(FE-SEM),透射电子显微镜(TEM)对所合成的样品进行表征。硒化锌纳米棒的直径大约为200-300 nm,长度大约为1-2μm。将合成的硒化锌样品制成湿敏传感器,测量传感器的动态和静态湿敏效应。当相对湿度从20%增长到85%时,传感器的电阻变化有三个数量级,其反应时间和恢复时间分别为50s和81s。我们的传感器和已经报道的相比,不但有高的灵敏性,而且有非常好的稳定和可重复性。
   硒化镉(CdSe)同样作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,已经发现在光发射器件,太阳能电池和光电探测器等方面有广泛的应用,最近几年还发现硒化镉材料有非常好的量子阱效应和气敏效应。本文采用CHM法直接合成单晶CdSe纳米颗粒和纳米棒,用XRD,EDS,SEM和TEM对合成的样品进行表征,我们对样品的形貌晶相进行研究,发现反应过程中随着水量的增加CdSe从颗粒状慢慢的长成棒状,同时,晶相由闪锌矿结构转变成纤锌矿结构。然后,用分光光度计对这两种晶相结构样品的光学性质进行研究,发现它们有同样的禁带宽度,而且,样品中存在晶格缺陷。最后,我们将这两种晶相结构的样品做成湿敏传感器,分别对样品的静态湿敏特性进行研究,发现他们都具超灵敏的湿敏特性,而且颗粒状的CdSe湿敏特性最好,当相对湿度从10%增长到90%,样品的电阻变化有三个数量。然后,对CdSe纳米颗粒的动态特性研究,当相对湿度从20%到90%时,电阻的反应时间和恢复时间分别为30s和50s,用CdSe做湿敏传感器,目前还没有人报道过,我们还是第一个。
   Cu2Se纳米半导体材料,广泛的应用于太阳能电池,超离子导体和光学滤波器等领域。采用一种新的合成技术,在复合氢氧化物熔融碱中,以CuCl2·2H2O和Se粉为原料在200℃、24h的生长条件下合成了Cu2Se纳米晶体,X射线衍射谱表明合成的Cu2Se纳米晶体属立方晶系结构,格点对称群为Fm(-3)m(225),格点参数 a=5.765(A).扫描电子显微镜(SEM)图表明Cu2Se纳米晶体为厚度为10-20nm,宽度为200~300nm的片状结构。生长时加入少量的水会导致棒状非晶产生,水量越多棒状非晶的尺寸越大,使得Cu2Se晶体的均匀性和品质变差。根据配位多面体生长机理模型,计算了生长基元的稳定能,并探讨了在复合氢氧化物熔融中纳米Cu2Se晶体的形成机理。

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