Harris Semiconductor, Box 591, Somerville, NJ 08876;
Consultant, RR2 Box 1120, Drums, PA 18222;
Naval Surface Weapons Center, 300 Highway 361, Crane IN 47522;
Harris Semiconductor, Crestwood Road, Mountaintop, PA 18707;
机译:仿真有助于N沟道功率MOSFET的硬化,以防止单事件烧断
机译:n通道功率MOSFET中单事件熔断的温度依赖性(用于空间应用)
机译:垂直双扩散MOSFET的更新结构可针对单个事件进行辐射硬化
机译:功率MOSFET经过硬化处理,可在太空中产生单事件效应(SEE)
机译:单事件瞬态和总电离剂量对低于10 nm节点CMOS的III-V MOSFET产生影响。
机译:关于感冒引起疾病的力量和影响的观察;关于防止其病态影响的最佳方法的一些评论&c。
机译:离子原子数对功率MOSFET单事件栅极破裂(SEGR)磁化率的影响
机译:离子原子序数对功率mOsFET单事件栅极断裂(sEGR)敏感性的影响。