CNRS;
LAAS;
7 avenue du Colonel Roche, F-31077 Toulouse, France;
VHDL-AMS; modeling; power MOSFET; power diode;
机译:通过Si IGBT / BiMOSFET实现1700V,50A SiC功率MOSFET的高开关性能,适用于高级功率转换应用
机译:低温条件下氮化镓和碳化硅MOSFET作为电力开关应用的比较研究
机译:针对开关应用进行了优化的功率MOSFET
机译:用于切换应用的温度相关功率MOSFET模型
机译:用于功率开关应用的碳化硅高性能UMOSFET的建模,设计和制造
机译:用于中频到高功率应用的宽带隙半导体开关装置的驱动电路综述
机译:钳位电感开关应用中功率MOSFET的共源共栅驱动器的特性
机译:利用siC功率mOsFET的硬开关Boost功率处理单元的长期可靠性。