Structural and Electronic Properties of Polycrystalline Cu(In,Ga)(S,Se)_2 Alloys

机译：多晶Cu（In，Ga）（S，Se）_2合金的结构和电子性能

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We present a systematic study on the polycrystalline Cu(In,Ga)(S,Se)_2 alloys with a gallium to indium ratio of Ga/(Ga+In)<0.3 and a sulfur to selenium ratio varying in the range between 0 ~~展开▼~~

机译：我们对镓/铟比Ga /（Ga + In）<0.3且硫硒比在0 <之间的范围内变化的多晶Cu（In，Ga）（S，Se）_2合金进行了系统研究S /（S + Se）<1。通过在高真空条件下以恒定速率共蒸发元素来生长所有样品。岛状（Cu，S，Se）偏析的形成与层中硫硒比有关，并且在富铜相界附近的生长区域中发现。这些偏析与硫在富铜生长模式中的优选掺入有关。我们从富含铟的生长模式直至硫与硒之比S /（S + Se）= 0.9获得太阳能电池级材料。 Mo / CIGSSe / CdS / ZnO：Al异质结的电子和光学性质的详细分析，使我们能够确定Cu（In，Ga）（S，Se）_2合金系统中能带的高能位置。我们发现，与Cu（In，Ga）（Se）_2合金体系相反，价带位置随着带隙的增加而显着降低。展开▼

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来源
《Symposium on II-VI Compound Semiconductor Photovoltaic Materials, Apr 16-20, 2001, San Francisco, California》|2001年|p.H4.5.1-5.6|共6页

会议地点 San Francisco CA(US);San Francisco CA(US)

作者
I. M. Koetschau; M. Turcu; U. Rau; H. W. Schock;
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作者单位

Institute of Physical Electronics, University of Stuttgart, Pfaffenwaldring 47, 70569 Stuttgart, Germany;

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原文格式 PDF

正文语种 eng

中图分类无线电电子学、电信技术;

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