Semiconductor Research Center, Wright State University, Dayton, OH 45435;
机译:使用丙烷作为碳源通过金属有机气相外延生长的半绝缘GaN:C外延层
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机译:金属有机气相外延和分子束外延生长的未掺杂GaAs在外加磁场中自由结合受体光致发光的研究
机译:通过金属有机气相外延生长的未掺杂半绝缘GaN的高温照明诱导的常规性
机译:金属有机气相外延生长的薄膜InMnSb多相半导体合金的相稳定性和铁磁性
机译:有机金属气相外延过程中GaN(0001)和(000-1)的CH4吸附概率及其与膜中碳污染的关系
机译:在各种条件下由氢化物气相外延生长的未掺杂GaN膜中的深陷阱光谱