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【24h】

Megapixel CMOS image sensor fabricated in three-dimensional integrated circuit technology

机译:采用三维集成电路技术制造的百万像素CMOS图像传感器

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摘要

A 1024×1024 integrated image sensor with 8 Μm pixels, is developed with 3D fabrication in 150 mm wafer technology. Each pixel contains a 2 Μm×2 Μm×7.5 Μm 3D via to connect a deep depletion, 100% fill-factor photodiode layer t
机译:具有150毫米晶圆技术的3D制造技术开发了具有8微米像素的1024×1024集成图像传感器。每个像素包含2微米×2微米×7.5微米3D通孔,以连接深度耗尽的100%填充系数光电二极管层t

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