首页> 外文会议>Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems, 2009. SiRF '09 >3D Group-Cross Symmetrical Interleaved Inductor in Advanced 45 nm RF CMOS Technology: A New Compact Inductor Architecture improving Self-Resonance Frequency
【24h】

3D Group-Cross Symmetrical Interleaved Inductor in Advanced 45 nm RF CMOS Technology: A New Compact Inductor Architecture improving Self-Resonance Frequency

机译:先进的45 nm RF CMOS技术中的3D组间交叉对称交错电感器:一种新型紧凑型电感器架构,提高了自谐振频率

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