Institut fuer Hochfrequenz- und Halbleiter-Systemtechnologien, Technische Universitaet Berlin, Einsteinufer 19, D-10587 Berlin, Germany;
机译:空位和自填隙对浮区硅晶体中替代过渡金属缺陷形成的影响
机译:混合功能计算中硅中的碳取代碳间隙(CsCi)缺陷对
机译:间隙和取代过渡金属重掺杂的氢饱和硅纳米线
机译:硅浮区晶体中相同过渡金属引起的替代和间质缺陷之间的配对反应
机译:硅自填隙与硅基异质结构中取代碳的相互作用。
机译:异质催化过渡金属的间质和替代光元素
机译:间质钢和其他过渡金属点缺陷的重组活性在P-和N型晶体硅中的缺陷
机译:硅浮区晶体生长作为研究缺陷和杂质的工具