ECE UCSD 9500 Gilman Dr. La Jolla, CA 92093, USA tcvanesi@ucsd.edu;
CMRR 9500 Gilman Dr. La Jolla, CA 92093, USA ghughes@alumni.caltech.edu;
ECE UCSD 9500 Gilman Dr.La Jolla, CA 92093, USA kreutz@eng.ucsd.edu;
Solid State Drives; Write Amplification; TRIM; NAND Flash;
机译:通过设计顺序写入约束缓存来缓解SMR驱动器的写入放大问题
机译:通过利用固态驱动器(SSD)内的几MB电容供电的写缓冲区来减少闪存的写流量
机译:基于LSM树的钥匙值的级联写入放大底层固态磁盘
机译:修剪请求对固态驱动器写入放大的影响
机译:固态驱动器中垃圾收集的写放大分析模型
机译:固态核磁共振脂质双分子层中副流感病毒融合蛋白跨膜结构域的构型和三聚体关联:对三聚体结构和融合活性的序列决定子的见解。
机译:关于过度配置和写入放大的微调命令分析 固态硬盘