Department of Micro- and Nanoelectronics, Saint Petersburg Electrotechnical University “LETI”, Saint Petersburg, Russia;
Department of Micro- and Nanoelectronics, Saint Petersburg Electrotechnical University “LETI”, Saint Petersburg, Russia;
Department of Micro- and Nanoelectronics, Saint Petersburg Electrotechnical University “LETI”, Saint Petersburg, Russia;
Department of Micro- and Nanoelectronics, Saint Petersburg Electrotechnical University “LETI”, Saint Petersburg, Russia;
Department of Micro- and Nanoelectronics, Saint Petersburg Electrotechnical University “LETI”, Saint Petersburg, Russia;
Porous silicon; Current density; Adhesives; Etching; Microscopy; Optical microscopy;
机译:相场方法锯齿状表面的基于能量的平衡接触角边界条件
机译:通过等离子聚合技术对食品接触表面进行改性。第一部分:接触角法测定亲水性,疏水性和表面自由能
机译:倾斜板测量期间具有不同表面形貌的硅烷化硅晶片上准静态接触角的高精度液滴形状分析(HPDSA):表面粗糙度对接触线动力学的影响
机译:技术条件对多孔硅表面能的影响使用接触角法
机译:通过接触角测量和椭圆偏振法对硅和二氧化硅表面进行原位研究。
机译:极化偏压和多孔硅形态对金-多孔硅触点电性能的影响
机译:锯齿状的基于能量的平衡接触角边界条件 用于相场方法的表面
机译:聚合物薄膜和织物的润湿性试验及接触角法测定其表面能