Inst. de Energia Solar, Univ. Politec. de Madrid, Madrid, Spain;
机译:III-V型多结太阳能电池超高浓度(1000-5000太阳)的半导体结构的限制因素
机译:浓度范围为2000至4000太阳的高效LPE GaAs太阳能电池
机译:垂直隧道结(VTJ)太阳能电池,用于超高聚光(> 2000太阳)
机译:超高浓度(> 1000阳光)以40%以上效率的路线图
机译:使用NTIMS对低浓度硼进行超高精度同位素测量
机译:猿猴病毒40(SV40)的100000和17000分子量的T抗原之间的结构关系通过与无缺陷腺病毒2型-SV40杂种病毒编码的SV40特异性蛋白进行比较得出。
机译:在超高浓度(> 1000个太阳)下达到40%以上的效率的路线图
机译:ada编译器验证摘要报告:证书编号:910517W1.11152,Verdix Corporation:VaDs sun-4 sunOs => 68K,Vada-110-40140,版本6.0,sun 4/280(sunOs版本4.0)(主机)至motorola 68040- mVmE165(裸机)(目标)