SemiSouth Laboratories, 201 Research Blvd Starkville MS39759 USA nigel.springett@semisouth.com;
机译:基于通常基于SiC JFET和Si MOSFET的前端级联整流器的使用
机译:SiC JFET和SiC JFET / Si MOSFET级联配置的开关性能比较
机译:常导SiCED-JFET C-V特性的测量和数值分析
机译:电容器夹紧的CASCODE常开启式SIC JFET作为同步整流器操作
机译:硅(Si)基板上的单向常态垂直碳化硅(3C-SiC)MESFET。
机译:石墨烯/ SiC材料平台上的高效太赫兹整流器
机译:关于基于常导SiC JFET和Si MOSFET的前端共源共栅整流器的使用