Research Institute of Functional Materials, Central Iron and Steel Research Institute, Beijing 100081, P.R.China;
Ni_2MnGa; electronic structure; impurity influence; computational materials;
机译:Pt掺杂对Ni_2MnGa和Ni_2FeGa铁磁形状记忆合金的影响的第一性原理研究
机译:铂取代对Ni_2MnGa铁磁形状记忆合金的结构和磁性的影响
机译:Ni_2MnGa铁磁形状记忆合金中的前马氏体到马氏体的转变及其对调制起源的影响
机译:铁磁形状记忆合金Ni_2MnGa埋藏的微观机理和杂质影响
机译:微观结构对两种贫钛,镍钛铂高温形状记忆合金的形状记忆性能的影响
机译:退火对Ni-Cu-Mn-Ga铁磁形状记忆合金阻尼行为的影响
机译:退火对Ni-Cu-Mn-Ga铁磁形状记忆合金阻尼行为的影响