Toshiba corporation, 2-4, Suehiro-cho, Tsurumi-ku, Yokohama, Japan 230-0045;
reaction-sintering; silicon carbide; NTSIC; full dense; high-strength; good shape capability; low processing temperature; lightweight; mirror substrate; space telescope;
机译:硅改性层去除深度对反应烧结碳化硅衬底光栅结构的影响及改进方法的影响
机译:高强度反应烧结碳化硅的微观结构评价
机译:高强度反应烧结碳化硅的研制
机译:NT-SIC(新技术碳化硅):φ650mm光学空间镜镜型碳化硅碳化硅
机译:在6H-碳化硅和15R-碳化硅衬底上生长的砷化硼外延层的缺陷结构和生长机理。
机译:低表面粗糙度反应烧结碳化硅等离子化学汽化加工气体成分的优化
机译:太空应用的碳化硅上硅衬底和功率器件的设计与制造
机译:用于轻质航空镜的碳化硅技术