Dept. of Electr. Electron. Eng., Shonan Inst. of Technol., Fujisawa, Japan;
Ge-Si alloys; UHF integrated circuits; UHF oscillators; bipolar integrated circuits; resonators; varactors; voltage-controlled oscillators; dual-band resonator; frequency 0.82 GHz to 1.04 GHz; frequency 2 GHz to 2.54 GHz; heterojunction bipolar transistors; inductor-loaded varactor diodes; size 0.35 mum; supply voltage switching; voltage 3.5 V; voltage 5 V; SiGe HBT; VCO; dual-band; inductor-loaded varactor; resonator;
机译:L波段SiGe HBT双频段差分放大器,使用新型变容二极管负载双频段谐振器,具有可调谐带通或带阻响应
机译:采用变容二极管负载,堆叠式LC谐振器的双频SiGe HBT频率可调和相移差分放大器
机译:采用变容二极管负载,堆叠式LC谐振器的双频SiGe HBT频率可调和相移差分放大器
机译:使用带有电感器装载变容二极管的双频谐振器的电源电压开关双频SiGe HBT VCO
机译:开关双频可重构微波放大器,用于灵活的通信系统。
机译:基于双浮出的多分裂环谐振器的300 GHz双频微带天线阵列设计
机译:具有28nm HPM体CMOS的带开关耦合变压器的双频带E频带正交VCO