Information Technology R D Center, Mitsubishi Electric Corporation, Kanagawa, Japan;
机译:通过使用对称掺杂分布来增强p端照明的InP / InGaAs / InP p-i-n光电二极管的带宽
机译:大电流多指台面InGaAs / InP DHBT
机译:大电流多指台面InGaAs / InP DHBT
机译:高电流背面照明IngaAs / InP P-I-N Potioode
机译:高速GaAsSb-InP和InGaAs-InP单向载流子光电二极管的仿真与比较
机译:通过采用光学光谱分程利用基于INP的量子级联激光器的InGaAs层的非接触式测量
机译:通过晶圆键合和氢诱导层剥离在硅上集成Inp / InGaas / Inp p-i-n光电二极管
机译:用于ULp应用的Inp / InGaas HBT和Inalas / InGaas HBT的比较