(Bi,La)(Fe_(1-x)Co_x)O_3強磁性•強誘電薄膜における垂直磁気異方性と 磁気Kerr効果のCo置換量依存性

摘要

強磁性•強誘電材料を次世代磁気記録デバイスである磁性細線メモリの記録素子へ応用するには高い飽和磁化と垂直磁気異方性が必要とされることから,BiFeC_3系強磁性•強誘電薄膜において,AサイトのBiの元素置換のみならず,BサイトのFeの元素置換効果の検討を,Co置換量を0～28 at%の間で変化させることで行った.その結果,Co置換量が多いほど大きい飽和磁化と垂直磁気異方性が得られた.また,電界駆動型の次々世代光変調素子への応用の観点から,これらの薄膜の磁気Kerr効果についても評価した結果,Co置換量の増大に伴い大きな磁気Kerr効果が得られたが,飽和磁化と磁気Kerr回転角のCo置換量に対する変化の傾向に違レ、が見られ,両者の発現機構は異なる可能性があることも判った.