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【24h】

Assessment of a new p-MOSFET usable as a doserate insensitive gamma dose sensor

机译：评估可用作剂量率不灵敏伽玛剂量传感器的新型p-MOSFET

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摘要

The DGA/CEB has made an assessment of the dosimetric response of a single unbiased MOSFET gamma-radiation sensor, designed and created by LAAS-CNRS. This transistor is to be the sensor of a military personnel dosimeter to record gamma doses emitted at a doserate higher than 20Gy/h.
机译：DGA / CEB已评估了由LAAS-CNRS设计和创建的单个无偏MOSFET伽马辐射传感器的剂量响应。该晶体管将成为军事人员剂量计的传感器，以记录以高于20Gy / h的剂量率发射的伽马剂量。

著录项

  • 来源
    《》|1995年|470-475|共6页
  • 会议地点 Arcachon(FR);Arcachon(FR)
  • 作者

    F. VETTESE; C. DONICHAK; P. BOURGEAULT; G. SARRABAYROUSE;

  • 作者单位

    DGA/DRET/Centre d'Etudes du Bouchet/DPN, B.P. n°3, 91710 Vert le Petit, France;

    DGA/DRET/Centre d'Etudes du Bouchet/DPN, B.P. n°3, 91710 Vert le Petit, France;

    DGA/DRET/Centre d'Etudes du Bouchet/DPN, B.P. n°3, 91710 Vert le Petit, France;

    LAAS-CNRS, 7 av du Colonel Roche, 31077 Toulouse cedex, France;

  • 会议组织
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 辐射防护;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-26 13:48:32

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