Naフラックス法における4端子法抵抗測定を用いた窒素溶解量のモニタリング

摘要

Na フラックス法を用いた GaN 結晶成長では、成長速度及び、成長ハビットを決める一因である窒素溶解量を把握することは重要である。これまで、Na フラックス法では、高温、高圧、腐食性ガス雰囲気という過酷な成長環境によりフラックス中の窒素溶解量を測定することが困難であったことから、成長後の結晶を評価することで窒素溶解量を推測してきた。一方GaNウエハを量産するためには、育成プロセスの安定化は必須であり、安定性向上のためには、成長中の窒素溶解量をモニタリングする技術が必要である。本研究では、フラックスの電気抵抗を測定することにより間接的にフラックスへの窒素溶解量のモニタリングに成功したので報告する。