机译:N2 / H2等离子体对通过自由基增强的金属有机化学气相沉积(REMOCVD)进行同质外延GaN生长的GaN衬底清洗的影响
机译:在非极性和半极性GaN衬底上生长的同质外延GaN的表面形态
机译:勘误:'表面处理对在胎儿GaN层上形成的金属/ GaN界面的Fermi水平钉扎的影响[JPN。 J. Appl。 物理。 59,046506(2020)]
机译:利用REMOCVD法生长同质外延GaN的GaN衬底的表面处理方法
机译:用于未来III-氮化物生长的氢化物气相外延生长GaN衬底的表征
机译:GaN核和InGaN / GaN多重外延生长导热铍上的量子阱核/壳纳米线氧化物基板
机译:N极衬底上无催化剂GaN线的同质外延生长
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管