Logic gates; Gallium nitride; Current measurement; HEMTs; MODFETs; Computational modeling; Temperature measurement;
机译:用于低噪声应用的InAlN / GaN HEMT的紧凑模型
机译:用于具有两个子带的2DEG密度解决方案的增强模式N极GaN MOS-HEMT的紧凑热噪声模型
机译:氧化物厚度依赖性紧凑型频道噪声噪声噪声模型AlGaN / GaN MOS-HEMT
机译:使用ASM-HEMT紧凑模型对GaN HEMT的DC,RF和噪声行为进行建模
机译:氧化锌,薄膜,场效应晶体管的行为建模以及像素驱动器,模拟放大器和低噪声RF放大器电路的设计。
机译:基于表面电位的P-GaN门垫的紧凑型造型
机译:Algan / GaN Hemts中的Resurf原理:通过有效浓度剖面,准确的1-D造型在非州雪崩击穿行为上进行建模