机译:0.35- / spl mu / m,6-m / spl Omega /,43 / spl mu // spl Omega / -cm / sup 2 /横向功率MOSFET,适用于低压,兆赫兹开关电源应用
机译:简化的0.35- / spl mu / m快速EEPROM工艺,使用通过LPCVD沉积的高温氧化物(HTO)作为多电介质和外围晶体管的栅极氧化物
机译:通过InGaAs阱层的低温生长获得高功率,高可靠性的1.06 / splμm/ m InGaAs应变量子阱激光二极管[MOVPE]
机译:一种新颖的低温CVD / PVD Al填充工艺,可在千兆位DRAM中产生高度可靠的0.175 / spl mu / m布线/0.35 / spl mu / m间距双镶嵌互连